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sapphire wafer

См. также в других словарях:

  • silicon-on-sapphire wafer — silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Silizium-auf-Saphir-Wafer — silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Silicon on sapphire — (SOS) is a hetero epitaxial process for integrated circuit manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 micrometres) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the Silicon on Insulator (SOI) family of… …   Wikipedia

  • Silicon on Sapphire — (SoS) ist eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus Silizium auf dem isolierenden Substrat Saphir (engl. Silicon on Sapphire). Die integrierten Schaltkreise werden in einem heteroepitaxialer Prozess hergestellt, bei dem eine dünne… …   Deutsch Wikipedia

  • Silicon-on-Sapphire — Querschnitt durch einen Transistor in einem integrierten Schaltkreis auf einem SOS Substrat Silicon on sapphire (SOS, englisch, dt.: ‚Silizium auf Saphir‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus… …   Deutsch Wikipedia

  • Diffraction topography — (short: topography ) is an X ray imaging technique based on Bragg diffraction. Diffraction topographic images ( topographs ) record the intensity profile of a beam of X rays (or, sometimes, neutrons) diffracted by a crystal. A topograph thus… …   Wikipedia

  • Namiki Precision Jewel Co., Ltd. — Namiki Precision Jewel Co.,Ltd. 並木精密宝石株式会社 Type Kabushiki kaisha Founded 28 August 1953 Headquarters Adachi ku, Tokyo, Japan Key people Chairman and CEO: Shoji Namiki President: Yoichi …   Wikipedia

  • silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur saphir, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • tranche à structure silicium-sur-saphir — silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • сапфировая пластина со слоем кремния — silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Light-emitting diode — LED redirects here. For other uses, see LED (disambiguation). Light emitting diode Red, pure green and blue LEDs of the 5mm diffused type Type Passive, optoelectronic Working principle Electr …   Wikipedia

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